这几个电源引脚在 NAND Flash（特别是符合 ONFI 规范的 NAND） 里有明确分工，这里简要梳理一下：

1. VCC

• 作用：
  NAND Flash 核心电路（array、charge pump、控制逻辑等） 的供电电压。

• 电压范围（ONFI 5.0）：

• 标准：1.2 V, 1.8 V, 3.3 V 三个档位都有（不同工艺/应用场景）。

• 例如：

            低功耗 NAND → 1.2 V 或 1.8 V；传统嵌入式/SSD NAND → 3.3 V

• 作用： I/O 接口的供电电压，决定了 NAND 与主控（Controller）之间信号线的电平标准。

• 电压范围（ONFI 5.0）：

• 1.2 V, 1.8 V, 3.3 V （和 VCC 可不同）。

• 例如：NAND 内部用 1.2 V (VCC)，但接口用 1.8 V (VCCQ)，以适配控制器。

3. VPP

• 作用： 提供高电压专用的供电，用于 Program（写入）和 Erase（擦除） 操作。

• 在早期 NAND（或工艺较老的器件）里，NAND 内部的电荷泵需要外部提供 额外高电压（典型 ~18 V）。

• 在新一代工艺 NAND（3D NAND、先进节点）中，VPP 电压降低，常常作为 辅助电源，用来减轻内部 charge pump 的负担。

• 电压范围（ONFI 5.0）：

• 1.8 V ±10%（即 1.62 V ~ 1.98 V）。

• 注意：这是 ONFI 5.0 明确的 标准 VPP 电压，不再是早期的十几伏。

4. ONFI 5.0 标准电压总结表

📌 要点总结：

• VCC → 内部核心供电。

• VCCQ → I/O 电平供电。

• VPP → Program/Erase 辅助电源（ONFI 5.0 定义为 1.8 V）。

1. 缩写含义

• VCC

• 来源：最初是 “Voltage at the Collector” 的缩写（因为早期晶体管电路里电源接在集电极 Collector 上）。

• 在现代半导体里：泛指 核心电源电压，已经不再局限于晶体管的 collector。

• VCCQ

• VCC + Q，其中 Q = I/O (Quad / Queue)，行业里通常解释为 “VCC for I/O”。

• 表示 供给 I/O buffer（数据接口）的电源，和内部逻辑核心电源（VCC）区分开。

• VPP

• “Programming Power” / “Programming Voltage” 的缩写。

• 专门用于 编程（Program）和擦除（Erase） 时的高电压（后来标准化为 1.8V）。

2. 直观类比

可以这么记：

• VCC = Core Core （核心电源）

• VCCQ = Core for Q (I/O电源)

• VPP = Programming Power

3. NAND Flash 电源分布框图

我画一张示意图，把 VCC、VCCQ、VPP 分别对应到 NAND Flash 的不同功能模块：

这张图展示了 NAND Flash 的电源分布：

• VCC（蓝色箭头）→ 给 核心电路 & 存储阵列 供电。

• VCCQ（绿色箭头）→ 给 I/O Buffer 提供接口电平电源。

• VPP（红色箭头）→ 专门供给 Program/Erase 高电压电路。

这样你就能直观理解：三者电流都走不同的“路径”，但最终都进 NAND 芯片内部。

1. 基本概念

• Active current（工作电流）：指 NAND Flash 在执行操作时（比如 读、写、擦 等）所消耗的电流。此时内部的存储单元阵列、电荷泵、电路控制器等都会被激活，电流消耗显著增加。

• Standby current（待机电流）：指 NAND Flash 芯片处于 空闲/待机状态 时的电流消耗。此时核心电路大部分关闭，仅保留少量维持内部状态（例如寄存器、控制逻辑）的电路在工作，所以电流远低于 active current。

2. 差别到底在哪？

• 不是不同针脚的电流： 两者都是通过 VCC/VCCQ 电源引脚 提供的电流，只是 NAND Flash 在不同工作模式下的功耗差异。

• 模式的区别：

• Active current 出现在芯片 执行操作 时。

• Standby current 出现在芯片 空闲/未执行操作 时。

3. 举个例子（数据手册常见参数） 比如某颗 NAND Flash：

• Active Read Current ≈ 20 mA

• Active Program (Write) Current ≈ 25 mA

• Active Erase Current ≈ 30 mA

• Standby Current ≈ 50 µA

可以看到，待机电流比工作电流小了 几个数量级。

4. 额外补充

• 有些 datasheet 还会细分 IDLE current（空闲但还没进入深度 standby）和 Deep Power Down current（深度掉电模式，几 µA 甚至更低）。

• 系统设计时，待机电流决定了整机在低功耗状态下的续航表现，而 工作电流影响供电电源的瞬时能力和电源完整性设计。

✅ 总结一句：Active current 和 Standby current 是同一电源引脚下，不同工作模式的电流消耗表现，而不是来自不同的针脚。

https://pan.baidu.com/s/18_c11aeFhSBe2qa-jUFs_Q?pwd=mm9y 提取码: mm9y

如果你有其任何关于PCIe5&6.0, CXL, NVMe/NVMoF, NAND, DDR5/LPDDR5以及UFS测试方面的我问题想咨询，请访问：访问www.saniffer.cn / www.saniffer.com 访问我们的相关测试工具和产品；或者添加点击左下角“阅读原文”留言，或者saniffer公众号留言，致电021-50807071 / 13127856862，sales@saniffer.com。