本期视频讲述了电子游戏图形渲染的工作原理，主要涵盖了从基础概念到现代图形技术的多个方面。以下是其主要内容的总结： 希望直接观看视频的朋友可以访问底部视频，如果觉得对你有价值请一定转发一下，我们将有动力提供更多高品质高清视频讲述SSD，NAND, DDR, CPU, GPU的底层工作原理。 1. 图形渲染的概述 视频首先介绍了电子游戏如何通过惊人的视觉效果将玩家带入逼真的虚拟世界。这些世界的构建基于数百万个顶点和三角形，所有这些都由二进制代码（1和0）组成，并在电脑或游戏机的显卡上进行处理。接着，它提出了一个核心问题：计算机如何将数十亿个1和0转换为逼真的3D图形？ 2. 渲染管道的三个关键步骤 视频详细介绍了图形渲染管道的三个核心步骤：  顶点着色：将3D世界中的几何形状转换为2D屏幕上的位置。这个过程通过一系列的几何变换，将3D物体的顶点映射到玩家看到的2D视图上。 光栅化：将三角形变为覆盖显示屏特定像素的碎片。这个步骤计算三角形在屏幕上所占据的像素位置，并为这些像素着色。 片段着色：对每个像素进行照明和颜色处理，模拟光源、阴影、反射等物理效果，使图像更加逼真。 3. 顶点着色的细节 顶点着色是将3D对象投射到2D屏幕上的第一步。视频使用一个火车模型作为示例，展示了如何将复杂的几何形状（如火车的引擎）通过数百万个顶点和三角形表示，并将其移动到玩家的视图中。顶点通过三次变换（模型空间到世界空间、世界空间到相机空间、透视空间到视图屏幕）来实现位置转换。 4. 光栅化过程 光栅化步骤中，显卡通过计算每个三角形顶点的X和Y坐标，将其映射到屏幕上，确定哪些像素被三角形覆盖。4K分辨率的显示屏有大约830万个像素，GPU通过光栅化处理将这些三角形分解为像素块，并为它们着色。 5. 深度和可见性处理 为了处理对象的遮挡关系，视频介绍了Z缓冲区的概念。Z缓冲区存储每个像素与相机之间的距离信息，用于决定哪些三角形在前景显示，哪些应该被遮挡。遮挡三角形的深度值与Z缓冲区中的值进行比较，靠近相机的三角形会覆盖远处的三角形。 6. 抗锯齿技术 视频解释了抗锯齿（SSAA）技术，用于消除边缘的锯齿现象。通过在单个像素上进行多个采样，GPU能够平滑过渡边缘，减少像素化现象。 7. 片段着色与光照计算 在片段着色阶段，显卡根据光源的方向和强度、相机位置、物体表面材料属性等因素，对每个像素进行光照计算。这个步骤使物体的阴影、反射等效果更为真实。例如，当火车表面面向光源时，颜色会更亮；背对光源时，阴影则更深。 8. 法线插值和平滑阴影 视频指出，简单的平面着色往往会产生不自然的效果，因此使用法线插值技术来实现曲面的平滑阴影。通过对三角形顶点的法线进行插值计算，GPU可以在曲面上生成平滑的阴影，使物体看起来更加真实。 9. 光线追踪和DLSS 视频最后提到了两个高级主题：光线追踪和DLSS。光线追踪用于计算高度精确的阴影和反射，而DLSS是一种通过神经网络将低分辨率图像提升到4K的技术。这两者通常结合使用，在保证游戏性能的同时，提供高质量的图形效果。 光线追踪：用于计算精确的阴影、反射和间接照明。尽管计算量大，但通过现代GPU的光线追踪核心可以在实时游戏中实现。 DLSS（深度学习超级采样）：通过卷积神经网络将低分辨率帧提升到高分辨率，如4K，从而减少计算负担，同时保持图像的清晰度。 10. 现代GPU架构 现代GPU通常包含三种独立的核心架构：CUDA核心（用于执行图形渲染管道）、光线追踪核心和张量核心（用于运行DLSS）。这些核心协同工作，可以在不到10毫秒内渲染一帧4K分辨率的图像，使得现代视频游戏可以在高质量画面下流畅运行。 11. 视频总结 视频总结了现代视频游戏图形的渲染过程，从最基础的顶点着色到高级的光线追踪和DLSS，涵盖了GPU的工作原理、渲染步骤、光照计算、抗锯齿技术等多个方面。 通过这个详细的解说，我们可以理解视频游戏图形的复杂性以及现代GPU在实现这些图形时所做的巨大计算工作。 Saniffer公司销售的SerialTek PCIe Gen5/6协议分析仪，Quarch公司针对GPU卡的热插拔、故障注入、电压拉偏、功耗监测等设备，可以协助你进一步了解关于GPU卡等PCIe插卡类的问题诊断相关产品和技术。感兴趣的朋友可以添加saniffer公众号，查询关键词：PCIe5&6.0, CXL, NVMe/NVMoF, SSD, NAND, DDR5, 800GE以太网测试技术和工具白皮书_ver11.1，下载后查看章节2, 4章节。 如果你有其他任何关于PCIe5&6.0, CXL, NVMe/NVMoF, NAND, DDR5/LPDDR5以及UFS测试方面的问题想咨询，请添加saniffer公众号留言，或致电021-50807071 / 13127856862，sales@saniffer.com。  

本期高清视频重点阐述了台式计算机的硬件构造及其工作原理，该视频大概17分钟，通过动画方式实现了对于计算机硬件架构主要组件的层层“解剖”，尤其是针对CPU, GPU（以Nvidia英伟达为例）, DDR内存, SSD, HDD硬盘的内部架构的介绍通俗易懂，该视频是所有生活在“现代”的人都值得观看和学习的视频。 希望直接观看视频的朋友可以访问底部视频，如果觉得对你有价值请一定转发一下，我们将有动力提供更多高品质高清视频讲述SSD，NAND, DDR, CPU, GPU的底层工作原理。下面我们会计划出两期讲述显卡和GPU的视频。 1. 视频概述 本视频通过3D动画演示，深入讲解了台式计算机的各个硬件部件。整个视频采用类似生物解剖实验的方式，逐步拆解计算机的各个组件，并以显微镜级别的视角展示了硬件的内部结构，特别是芯片中的晶体管等纳米级别的元件。 2. CPU（中央处理器） CPU的基本构造：文档首先介绍了CPU，这是计算机的“大脑”。CPU由一个封装体组成，内部是集成电路芯片。芯片与主板通过1200个连接点相连，这些连接点与主板上的着陆网格阵列接口。 核心和晶体管：CPU内部包含多个核心，每个核心负责处理程序和指令。文档提到示例CPU有10个核心，并展示了每个核心的功能结构。核心的晶体管数量非常庞大，约有80亿到100亿个，晶体管负责管理计算机的运算任务。 多层金属线和L3缓存：CPU晶体管顶部有多层金属线，通过这些线实现电流的传导。此外，文档还介绍了L3缓存和环形互连，以及与其他设备的接口。 图形处理单元和内存控制器：集成在CPU中的GPU用于处理图形数据，而内存控制器负责管理CPU与DRAM之间的数据传输。 3. 主板 主板构造：主板是连接计算机各个硬件的核心电路板，内部布满了电线、微芯片、插座、端口等组件。文档特别提到了主板上的芯片组，位于散热器下方，直接与CPU的系统代理部分连接。 主板功能：主板通过DRAM、GPU、SSD等与CPU直接连接，而芯片组则管理键盘、鼠标、USB设备等外部设备的数据流。主板上的电压调节模块（VRM）负责将电源电压调整为CPU所需的电压。 4. 电力与冷却 电力供应与冷却系统：文档详细解释了电力在计算机中的流动。CPU通过VRM将电源的高电压调低至1.3伏，电力经过多级转换后分配到计算机的各个组件。 冷却系统：由于CPU产生大量热量，计算机需要通过冷却器来散热。冷却器利用液体循环系统，通过散热器将热量传递给空气，而冷却后的液体则通过回流管道返回到冷却器。 5. GPU（图形处理器） GPU的基本结构：GPU是显卡的核心组件，负责处理图形相关的运算。与CPU类似，GPU内部有数十亿个晶体管。文档介绍了一块具有118亿个晶体管的GPU，其内部划分为6个图形处理集群，总共28个流式多处理器。 并行处理：GPU与CPU的不同之处在于它擅长并行处理简单算法。GPU可以同时处理大量数据，这使得它在图像处理等任务中表现优异。例如，GPU可以同时处理数百万像素的数据，而CPU则只能依靠少数几个核心来逐步处理。 6. 内存（DRAM，动态随机存取存储器） DRAM的构造与工作原理：文档简要介绍了DRAM，它是用于临时存储数据的存储器。DRAM内部由多个存储单元组成，每个单元由电容器和晶体管构成，负责在短时间内存储和读取数据。 容量与访问速度：DRAM通常用于临时存储数据，访问速度极快，数据传输时间可达纳秒级别。然而，DRAM只能短暂存储数据，且存储容量有限。 7. SSD（固态硬盘） SSD的工作原理：SSD负责永久存储数据，利用3D NAND技术在三维空间中存储信息。3D NAND阵列可以堆叠100到200层，这使得SSD能够容纳大量数据，单个SSD芯片可以存储数TB的数据。 速度与容量的对比：尽管SSD能够长期保存数据，但与DRAM相比，SSD的读取和写入速度较慢，约需要50微秒。因此，SSD适合用于存储大量数据，但访问频率较低的场景。 8. HDD（硬盘驱动器） HDD的基本结构：HDD采用旋转磁盘存储数据，磁盘以每分钟数千转的速度旋转，读写磁头则在磁盘表面移动，读取或写入数据。HDD的存储成本较低，但访问速度比SSD慢得多，数据传输时间通常在毫秒级别。 工作原理：HDD通过改变磁畴方向来存储数据，磁头可以检测磁畴的方向变化。虽然速度较慢，但HDD在大规模存储时仍具有优势，特别是对于需要高容量而非高访问速度的应用场景。 9. 其他硬件 鼠标与键盘：文档还简要介绍了鼠标和键盘的工作原理。鼠标通过红外灯、图像传感器和多个镜头实现对移动的感知，而键盘则通过塑料线传递电流，在按键按下时完成电路。 10. 技术发展与未来 计算机硬件的发展：文档指出，计算机硬件在过去的65年中经历了巨大的变化。当前展示的计算机硬件应被视为现代PC的典型示例，但并不适用于所有计算机。此外，硬件的技术仍在不断进步，未来将进一步发展。 学科融合的重要性：视频强调了多学科交叉学习的重要性，认为工程、技术和艺术相结合才能推动科技的发展。文档还提到了赞助商Brilliant.org，这个平台通过互动式的课程帮助用户学习不同的学科知识。 11. 视频总结 计算机内部硬件的复杂性：整个文档详细解释了计算机内部硬件的复杂性。每个组件虽然独立运行，但它们共同构成了一个强大的系统，确保计算机能够高效运行。 多学科背景的重要性：视频通过对硬件的详细拆解和建模，强调了跨学科学习的重要性。技术的发展需要具备工程、技术、艺术等多方面的知识储备。 通过下面的高清视频，我们可以更清晰地理解台式计算机的内部构造及其各个组件的工作原理。视频为未来深入探讨计算机架构及硬件技术提供了基础，也提醒我们，计算机硬件的发展将继续推动现代科技的进步。 Saniffer公司销售的SerialTek PCIe Gen5/6协议分析仪，SanBlaze PCIe Gen5 SSD测试设备，Quarch公司针对SSD的热插拔、故障注入、电压拉偏、功耗监测等设备，NplusT NAND和各类新型NVM测试工具，JKI公司的DDR5/LPDDR5，以及KTI公司的针对DDR5/LPDDR5的特性测试设备，可以协助你进一步了解这些SSD, DDR5等相关产品和技术。感兴趣的朋友可以添加saniffer公众号，查询关键词：PCIe5&6.0, CXL, NVMe/NVMoF, SSD, NAND, DDR5, 800GE以太网测试技术和工具白皮书_ver11.1，下载后查看章节2, 3, 7.1~7.2, 7.12~7.13章节。 如果你有其他任何关于PCIe5&6.0, CXL, NVMe/NVMoF, NAND, DDR5/LPDDR5以及UFS测试方面的问题想咨询，请添加saniffer公众号留言，或致电021-50807071 / 13127856862，sales@saniffer.com。  

今天的视频《What is NAND Flash: SLC, MLC vs. TLC, 3D NAND & More》的总结，重点阐述了NAND闪存及其不同类型和应用场景，使大家对于平时常见的各种类型的NAND以及与SSD主控芯片的关系有进一步的了解。 希望直接观看视频的朋友可以访问底部视频，欢迎观看和转发，我们将有动力提供更多高品质高清视频讲述SSD，NAND, DDR, CPU, GPU的底层工作原理。 1. NAND闪存基础 视频首先介绍了NAND闪存的基本概念和其在固态硬盘（SSD）中的应用。NAND闪存是一种非易失性存储器，与临时且易失的系统RAM不同，NAND闪存可以永久保存数据，即使在断电后也不会丢失。此外，NAND闪存没有机械部件，数据操作完全在电子层面上完成，因此它与传统机械硬盘相比，速度更快、能耗更低。 2. NAND的结构和组成 在SSD中，NAND闪存是由多个闪存模块组成的，每个模块可以包含多个闪存芯片。SSD的性能与NAND闪存的结构密切相关，SSD通常通过一个控制器管理这些模块和通道。控制器被比作SSD的“CPU”，负责管理数据传输、磨损均衡、垃圾回收等功能，从而延长闪存的寿命并提高性能。视频通过一个例子说明了如何计算SSD的容量，例如，通过多个128Gb的芯片组合，可以形成一个480GB的SSD。 3. SLC、MLC和TLC的区别 NAND闪存分为不同的类型，主要包括SLC（单级单元）、MLC（多级单元）和TLC（三级单元），它们各自的性能和耐用性有所不同： SLC（Single-Level Cell）：每个存储单元只能存储1个比特的数据，优点是数据读写速度快、耐用性强，但成本较高，因此主要用于特殊领域。 MLC（Multi-Level Cell）：每个存储单元可以存储2个比特的数据，相比SLC，MLC的存储容量更大，价格相对较低，但在耐用性和速度上稍逊一筹。MLC通常用于性能和成本平衡的消费级产品。 TLC（Triple-Level Cell）：每个存储单元可以存储3个比特的数据，容量更大、成本更低，但其耐用性和速度较差，适用于追求容量和成本效益的应用场景，如消费者级SSD；随着工艺成熟目前也为主流企业级SSD使用。 视频指出，TLC的价格比MLC便宜约30%，但寿命相对较短，因此适合对寿命要求不高但追求高容量的市场。 4. 3D NAND技术 除了SLC、MLC和TLC，视频还介绍了3D NAND技术。3D NAND是通过在垂直方向堆叠多个NAND层，来增加存储密度的技术，相比于传统的平面NAND，3D NAND可以实现更大的存储容量、更好的性能和更长的使用寿命。这种技术的应用使得SSD的成本进一步降低，同时提高了存储容量。 5. 控制器与NAND的协同作用 NAND闪存的性能不仅取决于其本身的技术规格，还与SSD的控制器密切相关。控制器负责管理NAND闪存的读写操作、磨损均衡、垃圾回收等功能，确保SSD在高性能的同时延长其使用寿命。例如，磨损均衡技术能够均匀地分配每个存储单元的写入操作，防止个别单元过度磨损。垃圾回收功能则定期清理无效数据块，以确保新的数据可以被快速写入。 6. 使用场景和市场应用 不同类型的NAND闪存适用于不同的市场需求： SLC主要用于对速度和耐久性要求较高的军工级，工业级应用。 MLC则兼顾了性能和成本，适用于主流消费者和企业级产品，如高性能个人电脑和工作站。 TLC则因其较低的成本和较大的存储容量，通常用于对寿命要求不高的消费级SSD中，如普通的笔记本电脑和台式机。现在TLC以及最近两年工艺日渐成熟的QLC （Quad-Level Cell）也大量应用于企业级，如服务器、存储系统和互联网数据中心 此外，3D NAND的出现进一步拓展了这些类型的应用场景，使得更高容量的SSD可以以更低的价格提供给消费者和企业用户。 7. 寿命与过度配置 最后，视频还讨论了NAND闪存的寿命与过度配置（Over-Provisioning，OP）技术。NAND闪存的寿命通常通过其擦写周期（P/E Cycle）来衡量，即每个存储单元在物理损坏之前能够承受多少次擦写操作。为了延长SSD的使用寿命，许多制造商采用了过度配置技术，即预留一部分未公开的存储空间，用于替代因磨损而损坏的存储单元，从而延长SSD的整体寿命。视频中的示例提到，在一个标称容量为512GB的SSD中，经过过度配置后的可用容量可能只有480GB。 视频总结 总的来说，视频清晰地介绍了NAND闪存的基本概念、不同类型（SLC、MLC、TLC）及其应用场景，还涉及了控制器的作用以及3D NAND等技术的发展。通过这些技术的结合，不同类型的SSD能够满足从高性能、长寿命的工业级需求到容量大、价格低的消费级需求的广泛应用。理解这些技术有助于消费者在选购SSD时做出更为理性的决策，权衡性能、耐久性和价格之间的平衡。 对于NAND进行测试是了解NAND特性的非常重要的方法，Saniffer公司销售的NplusT产品是业内顶尖的NAND测试和分析专家，国际和国内的众多大学、研究院所、SSD controller公司和SSD模组公司都在使用该产品进行测试。感兴趣的朋友可以添加saniffer公众号，查询关键词：PCIe5&6.0, CXL, NVMeNVMoF, SSD, NAND, DDR5, 800GE测试技术和工具白皮书_ver11.1，下载后查看章节7.1~7.2章节。 如果你有其他任何关于PCIe5&6.0, CXL, NVMe, NVMe over Fabric, NAND, DDR5/LPDDR5以及UFS测试方面的问题想咨询，请添加saniffer公众号留言，或致电021-50807071 / 13127856862，sales@saniffer.com。  

今天我们来探讨一下如何量测数据中心的各类服务器、各类家电、移动储能设备等使用220V供电的设备的电压、电流和功率、相位、频率、功率因数等详细的参数，用于捕获和分析的强大自动化选项，长达数小时或数天的长期记录，以及使用Quarch公司的IEC AC Power Analysis Module (IEC PAM)的主要优点，想获得更加感性的体验和认识，可以直接参考底部的高清演示视频。 本期演示主要针对常见的服务器，或者工作站的220V测量，我们下面计划做几期针对Quarch IEC PAM的视频来测试：1）洗碗机；2）Anker储能电源；3）笔记本电脑。感兴趣的朋友可以及时关注。 广泛适用性：     可分析几乎所有常见的交流电源设备，从家用电脑到企业服务器，从手机充电器到洗衣机。 支持所有主要的美国/欧盟/世界各地电压和频率标准，一个工具适用于多种测试需求。 易于设置和使用：    几秒钟内即可完成设置，无需复杂的接线。 不需要电流钳、探针或固定接线，使用更简单直观。 全面的数据采集：    除基本的电压/电流/功率外，还可显示相位、频率、功率因数、总谐波失真(THD)等多种参数。 可进行长时间（数小时甚至数天）的高分辨率数据采集。 强大的分析工具：    配套的Quarch Power Studio软件提供独特的可视化工具，便于快速查看数据趋势和细节。 可以访问原始数据，进行自定义指标的计算和后处理。 自动化测试能力：    提供简单的自动化选项，包括Python示例，支持24/7全天候运行测试。 自动化过程大大提高了团队效率，让工程师可以专注于结果分析和产品改进。 行业认可度高：    Quarch产品在数据存储设备测试领域被视为行业标准，得到"一线"数据存储公司的广泛使用。 基于近10年的成功经验开发，享有良好声誉。 适应新标准和需求：    随着绿色能源标准的出台和电力价格的上涨，该工具可以满足日益增长的测试需求。 灵活性和可扩展性：    可用于各种场景，从PC制造商满足Energy Star要求到研发实验室分析设备功率因数。 优质的支持和服务：    提供评估单元，高水平的直接支持。 高质量的保修服务，包括保修期过后的低成本维修。 独特的技术优势：    相比竞品，能够捕获更多数据，分辨率更高，采集时间更长。 为节能和提高产品效率提供关键的能源数据支持。 这些优点使Quarch的IEC PAM成为进行交流电源分析的强大工具，特别适合需要详细、准确和长期电源数据的工程师和研发团队。 如果你有其他任何关于PCIe5&6.0, CXL, NVMe/NVMoF, NAND, DDR5/LPDDR5以及UFS测试方面的问题想咨询，请添加saniffer公众号留言，或致电021-50807071 / 13127856862，sales@saniffer.com。  

本期高清动画视频内容详细解释了计算机内部数据从固态硬盘（SSD）转移动态随机存取存储器（DRAM，即我们常说的内存）的过程，并深入探讨了DRAM的工作原理和架构。 希望直接观看视频的朋友可以访问底部视频，欢迎观看和转发，我们将有动力提供更多高品质高清视频讲述SSD，NAND, DDR, CPU, GPU的底层工作原理。 1. 数据的转移过程 视频开始时，解释了当用户加载程序或视频游戏时，计算机内部从SSD到DRAM的数据转移。这是因为SSD用于长期存储数据，而CPU只能处理已经被加载到DRAM中的数据。DRAM存储的数据属于工作内存，访问速度快但容量小。相比之下，SSD虽然容量大，但访问速度较慢。 2. SSD与DRAM的区别 SSD中的数据通过3D存储单元阵列存储，能够保存数TB的数据，而DRAM中的数据则存储在二维阵列中的电容器中，具有较少的存储容量，通常为GB级。访问DRAM中的数据比SSD要快3000倍，这也是为什么计算机会利用DRAM加快数据处理速度。 3. CPU如何与DRAM通信 视频介绍了CPU与DRAM的通信方式。当需要访问SSD上的数据时，CPU会将数据加载到DRAM中。DRAM中的数据通过内存通道传输给CPU进行处理。DRAM条通过主板上的两个内存通道连接到CPU，并通过复杂的通信协议进行数据传输和管理。 4. DRAM芯片的内部结构 DRAM芯片由多个存储单元组成，视频展示了这些存储单元的内部结构。每个存储单元包含一个电容器和一个晶体管，电容器用于存储电荷（数据的0或1），晶体管则用于控制电容器的读写操作。这种结构被称为1T1C单元（1个晶体管和1个电容器）。 5. 量子力学与数据存储 视频深入解释了量子隧穿效应在数据写入中的作用。当需要将数据从SSD写入DRAM时，电子通过量子隧穿现象穿过电介质屏障，进入电容器中。这种技术使得大规模、高效的数据存储成为可能。 6. 存储单元的刷新与优化 由于DRAM中的存储单元容易泄漏电荷，因此需要定期刷新，以确保数据不会丢失。视频详细描述了刷新操作的过程，通过打开一行并重新充电，确保存储单元中的电荷保持在所需的电平。通过定期刷新，数据的完整性得以维持。 7. DRAM的设计优化 视频提到了DRAM的多项设计优化，例如突发缓冲区、折叠DRAM架构、以及差分对感测放大器等。这些优化旨在提高数据的读取和写入速度，同时减少电容器与位线之间的干扰。 8. 性能与时序的权衡 DRAM的性能不仅取决于其架构设计，还受限于时序参数，如行命中、预充电时间和行未命中的处理方式。通过优化这些时序参数，CPU和内存控制器可以更高效地访问数据，尤其是在处理复杂计算时，例如视频游戏中的3D渲染、光照和阴影等。 9. 应用场景与未来发展 视频展示了DRAM在视频游戏、视频编辑等高需求场景中的重要作用。它通过加快数据访问速度，确保复杂应用中的快速响应。同时，视频还提到随着技术的进步，未来的DRAM设计将继续优化，以满足日益增长的数据处理需求。 10. 赞助商与其未来发展 该视频由Crucial赞助，视频末尾提到美光公司生产了全球四分之一的DRAM，并且还在持续开发优化的存储产品，如Crucial NVMe SSD。这些产品在游戏和视频编辑中能够极大地提高加载速度和数据处理效率。 总的来说，视频通过深入剖析DRAM的结构与工作原理，向观众展示了现代计算机技术的复杂性以及背后强大的数据处理能力。 Saniffer公司销售的SerialTek PCIe Gen5/6协议分析仪，SanBlaze PCIe Gen5 SSD测试设备，Quarch公司针对SSD的热插拔、故障注入、电压拉偏、功耗监测等设备，NplusT NAND和各类新型NVM测试工具，JKI公司的DDR5/LPDDR5，以及KTI公司的针对DDR5/LPDDR5的特性测试设备，可以协助你进一步了解这些SSD, DDR5等相关产品和技术。感兴趣的朋友可以添加saniffer公众号，查询关键词：PCIe5&6.0, CXL, NVMeNVMoF, SSD, NAND, DDR5, 800GE测试技术和工具白皮书_ver11.1，下载后查看章节2, 3, 7.1~7.2, 7.12~7.13章节。 如果你有其任何关于PCIe5&6.0, CXL, NVMe/NVMoF, NAND, DDR5/LPDDR5以及UFS测试方面的我问题想咨询，请添加点击左下角“阅读原文”留言，或者saniffer公众号留言，致电021-50807071 / 13127856862，sales@saniffer.com。  

该高清动画视频详细介绍了智能手机NAND存储单元的工作原理，特别是电荷捕获闪存的技术细节和量子力学在存储中的作用。 以下是对视频内容的总结，希望直接观看视频的朋友可以访问底部视频，欢迎观看和转发，我们将有动力提供更多高品质高清视频讲述SSD，NAND, DDR, CPU, GPU的底层工作原理。 智能手机存储单元简介 视频首先介绍了智能手机中的存储单元，指出这些存储单元的结构非常小，仅有75到100个原子厚度。每个存储单元负责保存智能手机中的各种数据，包括照片、消息和应用程序数据。 电荷捕获闪存技术 视频通过解构微芯片，展示了其中的存储单元是如何工作的。存储单元堆叠成一个100层高的阵列，每个单元通过捕获电子来存储信息。这些存储单元被称为电荷捕获闪存。为了确保电子能够长时间被捕获而不丢失，工程师使用介电材料（绝缘体）包围电荷陷阱，防止电子泄漏。这个介电材料的厚度非常关键，既不能太厚，也不能太薄。 存储单元中的量子力学作用 接下来，视频解释了量子力学在存储信息中的作用。当电子需要穿过介电材料进入电荷陷阱时，会利用量子隧穿效应。在经典力学中，电子无法跨越高能障碍，但在量子力学中，电子的位置并不是固定的点，而是一种概率云。当施加电压时，电子的概率云被拉向电荷陷阱，并有一定的概率穿越介电屏障。这种量子隧穿现象使得存储信息成为可能。 存储单元的长期稳定性 视频还提到，尽管这些存储单元设计得非常精密，但它们会随着时间的推移逐渐失去电荷，通常在10年左右不使用时，数据可能会损坏。此外，存储单元的写入和擦除次数也是有限的，因此建议用户定期备份重要文件。 视频结尾 视频最后提醒观众，这些复杂的技术虽然在日常使用中是隐形的，但它们在智能手机的存储功能中起着至关重要的作用。 总的来说，这段视频为观众揭示了智能手机中看似普通的存储单元背后复杂的技术细节，特别是电荷捕获闪存和量子力学的应用。 对于NAND进行测试是了解NAND特性的非常重要的方法，Saniffer公司销售的NplusT产品是业内顶尖的NAND测试和分析专家，国际和国内的众多大学、研究院所、SSD controller公司和SSD模组公司都在使用该产品进行测试。感兴趣的朋友可以添加saniffer公众号，查询关键词：PCIe5&6.0, CXL, NVMeNVMoF, SSD, NAND, DDR5, 800GE测试技术和工具白皮书_ver11.1，下载后查看章节7.1~7.2章节。 如果你有其他任何关于PCIe5&6.0, CXL, NVMe, NAND, DDR5/LPDDR5以及UFS测试方面的问题想咨询，请添加saniffer公众号留言，或致电021-50807071 / 13127856862，sales@saniffer.com。  

本期高清动画视频主要讲解了固态硬盘（SSD）技术的基础知识，特别是VNAND存储结构的工作原理。 希望直接观看视频的朋友可以访问底部视频，欢迎观看和转发，我们将有动力提供更多高品质高清视频讲述SSD，NAND, DDR, CPU, GPU的底层工作原理。 一、数据存储的奇迹 视频从我们日常使用的智能设备出发，引导观众思考，如此小的设备如何能够存储大量数据，如数以万计的照片、视频和应用程序。答案在于SSD的微观存储结构。SSD中的VNAND技术允许在微小的芯片中存储海量信息，这在过去是难以想象的。 二、VNAND的存储单元结构 视频深入讲解了VNAND的存储单元。VNAND，即“垂直NAND”，其存储单元是通过电荷捕获技术实现的。每个存储单元可以捕捉和保持一定数量的电子，这些电子代表二进制数据（0和1）。通过先进的技术，这些存储单元被垂直堆叠，从而实现更高的存储密度。 在传统技术中，每个存储单元只能存储一个比特（0或1），而VNAND则可以存储更多的比特。例如，视频提到，VNAND单元最多可以存储8种不同的电荷能级，从而允许一个单元存储多个比特的数据。这种多层存储结构显著提高了存储效率和容量。 三、数据的存储和读取 视频详细讲解了数据如何在SSD中存储和读取。当用户在设备中保存一张图片时，图片会被转化为像素网格，每个像素由红、绿、蓝三种颜色的数值表示。每种颜色的数值会被进一步转化为二进制数据（0和1），然后存储在VNAND的存储单元中。 VNAND的工作原理非常复杂。每个存储单元被排列成“串”，这些串进一步被组织成“页面”，而多个页面则形成“块”。数据在VNAND芯片中的存储和读取依赖于复杂的控制机制。控制门和位线选择器负责管理每一层和每一行的存储单元，确保数据能够快速且准确地被访问。 四、3D NAND的优势 VNAND技术中的“3D”结构是其核心优势之一。通过垂直堆叠存储单元，VNAND能够在有限的物理空间内实现更高的存储密度。这种3D结构大大提升了SSD的存储能力和性能，使得如今的智能设备能够存储TB级别的数据。 视频还提到，VNAND技术已经从早期的10层堆叠发展到如今的近300层甚至更高层次。通过不断增加层数，制造商能够在不增加芯片体积的情况下显著提高存储容量。 五、SSD的读写速度与接口 除了存储容量的提升，SSD的读写速度也是其显著优势之一。视频指出，现代SSD的读写速度非常快，这意味着它可以在一秒内读取或写入数十个数据块。这种高速性能使得SSD成为数据密集型应用（如视频编辑、游戏和大型数据处理）中的理想选择。 SSD的高速度部分归功于其内置的控制电路和接口芯片，这些组件协调多个VNAND芯片的工作，确保数据能够以最高效的方式传输。 六、未来的发展方向 视频最后探讨了SSD技术的未来发展方向。随着VNAND技术的不断进步，工程师们已经能够在更小的芯片中集成更多的存储单元。未来，随着层数的增加和控制电路的优化，SSD的存储容量和速度还将继续提升。 制造商正在不断改进SSD设计，力求在不增加功耗的情况下提升存储容量和速度。这将为数据存储领域带来更多的创新，并推动智能设备和数据中心的发展。 视频总结 这段视频清晰地解释了VNAND技术的核心原理及其在SSD中的应用。通过电荷捕获闪存单元、垂直堆叠结构以及复杂的控制机制，SSD实现了在微小芯片中存储大量数据的目标。视频还探讨了SSD的读写速度和未来发展方向，为观众提供了对这一现代存储技术的深入了解。 这种技术革新不仅改变了我们存储和访问数据的方式，也为未来的计算设备和应用程序提供了更高效的解决方案。SSD的广泛应用证明了VNAND技术的巨大潜力，随着技术的进一步发展，SSD在存储容量和性能方面的表现将更加卓越。 对于NAND进行测试是了解NAND特性的非常重要的方法，Saniffer公司销售的NplusT产品是业内顶尖的NAND测试和分析专家，国际和国内的众多大学、研究院所、SSD controller公司和SSD模组公司都在使用该产品进行测试。感兴趣的朋友可以添加saniffer公众号，查询关键词：PCIe5&6.0, CXL, NVMeNVMoF, SSD, NAND, DDR5, 800GE测试技术和工具白皮书_ver11.1，下载后查看章节7.1~7.2章节。 如果你有其他任何关于PCIe5&6.0, CXL, NVMe, NVMe over Fabric, NAND, DDR5/LPDDR5以及UFS测试方面的问题想咨询，请添加saniffer公众号留言，或致电021-50807071 / 13127856862，sales@saniffer.com。